功率半导体行业报告：IGBT供需结构改善 碳化硅加速上车

报告要点：

    1）IGBT 供需改善，或将进入回暖阶段。IGBT 出货量变价改善，24Q2回归正向增长，行业性衰退进入尾声，IGBT 价格自24Q1 同比下滑幅度接近30%，当前处于较为稳定状态，供需结构趋于平衡，IGBT 价格已经进入相对底部，供需结构的改善或有可能带动IGBT 价格进入回暖阶段及出货量的持续提升。

    2）中国IGBT 自给率提升，碳化硅产能加速带动价格下滑。中国IGBT厂商产能持续提升，但自给率水平相对较低，随着中国厂商扩产和技术突破，凭借不弱的性能表现和较高的性价比优势，自给率将逐步提高。2024 年碳化硅行业或将进入供过于求阶段，产能增速较需求增速更快。海外大厂产能方面，2025 年预计将成为8 英寸衬底产能释放的重要节点，Wolfspeed、Rohm、Onsemi 均计划在2025 年前后实现8 英寸SiC 衬底的量产。中国产能方面，2024H1 产能较2022 年提升3 倍，虽目前主要产能仍以6 英寸为主，但士兰微、三安光电等头部企业已开始进军8 英寸。在产能集中释放、工艺持续优化及8 英寸产线升级等因素下，市场由结构性紧缺转向供给过剩，推动碳化硅价格将持续下滑，中国产能释放快于全球水平，预计2028 年将较全球均价形成900-1000 元的显著价差。

    3）中低端车型提振IGBT 需求，800V 平台渗透提升带动SiC 加速上车。2025 年新能源汽车销量和渗透率持续攀高，中低端车型受竞争激烈带动价格下沉，及智能驾驶下沉中低端车型市场，将有望带动IGBT在汽车上的出货需求。随着30 万以上纯电动车型比重提升、400V 向800V 升级，叠加碳化硅整体成本持续下降，将推动碳化硅模组在中高端车型上的渗透率持续提升。未来随着碳化硅衬底产能和良率的提升，叠加8 英寸衬底量产，成本持续下降，预计2026 年碳化硅模组与IGBT模组的价差从2-3 倍收窄至1.5 倍以下，届时将有望打开规模化应用空间。

    建议关注

    斯达半导、时代电气、士兰微、华润微、三安光电、捷捷微电、扬杰科技、新洁能、东微半导

    风险提示

    上行风险：下游景气度加速提升；IGBT 价格加速回暖；各厂商产能释放加速。

    下行风险：产品价格持续下滑；各厂商产能释放不及预期；其他系统性风险。