新洁能(605111)深度:MOSFET技术领先 迎IGBT、SIC/GAN国产之机

类别:公司 机构:上海申银万国证券研究所有限公司 研究员:杨海燕/骆思远/任慕华/黄婷 日期:2021-12-01

  新洁能是MOSFET、IGBT 等功率器件领域的国内领先供应商。新洁能成立于2013 年,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅及超结功率MOSFET 的企业之一。2016 年以来,连续5 年被评为“中国半导体功率器件十强企业”。当前产品型号1500 种。

      产品及供应链三大变化,助力新洁能快速发展及盈利提升。1)功率器件毛利率稳定高于芯片,2015-2020 年功率器件收入从1.87 亿元提升至7.78 亿元,占比从44.3%提升至81.5%。2)2020 年以来,率先切入12 寸半导体平台,业绩加速释放。3)2019 年,子公司电基集成已初步完成先进封装测试生产线的建设,将少部分芯片自主封装后对外销售。

      2021 年全球半导体功率器件市场规模有望反弹至293.89 亿美元,同比增长23.5%。半导体功率器件可分为二极管、晶体管、晶闸管等,主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能(功率)处理的核心器件,弱电控制和强电运行间的桥梁。2020 年MOSFET市场规模81 亿美元,约占功率器件市场规模1/3。2020-2026 年,IGBT 市场规模预计从54 亿美元增长至84 亿美元,CAGR 为7.5%。2022 年MOSFET+IGBT 全球规模预计逾900 亿人民币。

      新能源推动宽禁带半导体材料(SiC、GaN)功率器件的发展。SiC MOSFET 比Si 基IGBT,导通电阻更低,使得产品尺寸降低、缩小体积、开关速度快,功耗相比于传统功率器件要大大降低。2019 年-2025 年,SiC 功率器件将从5.41 亿美元增至25.62 亿美元,CAGR约30%;2019 年-2024 年,电力电子GaN 器件市场规模从约0.8 亿美元增至3.5 亿美元。

      全球晶圆代工产能不足会持续到2022 年之后,新洁能具稳定供应链优势。功率器件主力代工领域为8 寸晶圆。6 英寸晶圆厂陆续关停向8 英寸切换,同时8 英寸关停或向12 英寸切换,2019 年8 寸晶圆厂数量才止跌回升。2018 年以来8 寸晶圆厂经历3 轮涨价。晶圆资源成为核心竞争力,新洁能与华虹宏力、华润上华等晶圆厂具有多年深度合作优势。

      国产替代势在必行,新洁能产品已具备优势。1)供需不匹配。需求方面,2020 年中国分立半导体市场占比36%;供给方面,功率器件市场国际大厂市场份额领先,中国半导体分立器件厂商市场销售额占比仅5%,主要功率半导体国产化率均不及50%。2)国内晶圆厂与设计厂齐头并进,MOSFET、IGBT 相对其他半导体功率器件更具有差异化特征,成熟的产业链协作对功率半导体Fabless 企业至关重要。3)新洁能部分产品工艺技术国内领先,在SiC/GaN 等宽禁带半导体功率器件的研发工作也形成了一定的技术突破。

      首次覆盖, 给予“ 买入” 评级。我们预测2021-2023 年新洁能收入分别为15.89/21.15/26.21 亿元,归母净利润分别为4.09/5.19/6.38 亿元。2021 年可比公司PE估值均值为148X,新洁能当前市值对应2021PE 76X,上升空间95%。

      风险:IGBT 进展低于预期、SiC/GaN 进展低于预期、功率器件市场景气度下滑、监管工作函等