博通集成(603068)重大事件快评：经营拐点或至 无线通信芯片领导者再起航

　　事项：

    　　公司Q3单季度收入 和利润同比大幅下滑，股价经历大幅调整。但公司今年以来季度收入环比不断增长，且若去掉去年ETC 大订单的影响，今年Q3 收入亦同比大幅增长。考虑到公司传统业务下滑至低点，新业务逐步放量增长，我们认为公司经营情况拐点或现。

    　　公司近日发布公告，东建得投资、亿厚有限、泰丰香港、耀桦有限四位股东（合计持有21.41%股份）减持期满，减持计划实施完毕，在6 个月的减持过程中，只减持了1%左右的股份，对公司后续发展依旧抱有信心。

    　　国信通信观点：

    　　我们认为，公司在射频技术领域的积累和无线通信芯片平台化的设计能力，在国内较为领先，长期可充分受益IOT市场的高速发展。

    　　目前公司的WiFi 芯片已成功切入涂鸦等大客户，长期受益于家电网联化；TWS 芯片新品即将投入市场，将充分享受TWS 耳机渗透率提升以及芯片国产化浪潮；ETC 芯片也有望伴随ETC 后装转前装迎来“第二春”。在经历了2019年的业绩波动后，目前已至业绩拐点，后续高增长可期。

    　　我们预计公司2020-2022 年收入为9.0/13.1/18.5 亿元，归母净利润为1.3/2.7/4.2 亿元，对应当前PE 81/38/25 倍，首次覆盖，给予“买入”评级。

    　　评论：

    公司是优质的无线通信芯片设计商，射频技术国内领先公司主要从事无线通信芯片的研发与销售，是业内较早进行该领域芯片设计并上市的企业。公司创始人为Pengfei Zhang和Dawei Guo，二人之前均在全球知名的射频芯片公司RFMD 工作，后于2005 年回国创办博通集成，并于2019 年上市。

    　　RF Micro Devices 成立于1991，总公司座落在北卡罗来纳州，1997 年于NASDAQ 上市。公司由一群射频设计专业研发团队所成立，设计工程师在无线通讯芯片设计领域经验平均超过25 年以上，精通各种制程技术，如AlGaAs、HBT SiGe、BiCMOS、GaN、GaAs pHEMT、InGaP HBT 等，堪称世界一流的射频集成电路设计公司。

    　　在此背景下，博通集成组建了国内领先的射频技术团队，公司核心团队多来自于国外顶尖高校、科研机构如耶鲁大学、UCLA、京都大学、 AT&T 贝尔实验室等，均有微电子行业留学经历，为集成电路设计领域的专家。公司 CEO PengfeiZhang 为 UCLA 微电子博士后，是 RF-CMOS 技术最初从学院研究到工业应用产业化的亲历者，在美国学习和工作期间，积累了丰富的设计和管理经验。

    风险提示

    　　1、 行业竞争加剧，价格战激烈；2、公司新产品无法顺利导入客户风险；3、政策变化风险。