电子行业美光FY25Q2跟踪报告：HBM收入环比持续高增长 指引FY25Q3DRAM和NAND量价齐升

　　事件：

    　　美光于3 月21 日公布FY25Q2 财报（注：截至2 月28 日的3 个月期间），营收80.5 亿美元，同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，均符合指引。

    　　评论：

    　　1、FY25Q2 收入和毛利率符合指引，摊薄EPS 超指引预期。

    　　按NON-GAAP 口径，美光FY25Q2 收入为80.5 亿美元，符合指引（79±2 亿美元），同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，符合指引（38.5%±1.0pcts）；摊薄EPS 为1.56 美元，超指引预期。

    　　2、NAND 业务表现相对疲软，HBM 收入环比持续高增长。

    　　1）按产品划分：①DRAM 单季收入61.2 亿美元，同比+47.3%/环比-4.3%，占比76%，位元出货量环比下降高个位数百分比，ASP 环比增长中个位数百分比；②NAND 单季收入18.6 亿美元，同比+18.4%/环比-17.2%，占比23%，位元出货量略有增加，ASP 环比下降高十位数百分比；2）按业务划分：①计算和网络（CNBU）收入45.6 亿美元，续创历史新高，同比+109%/环比+4%，其中HBM环比增长超50%；②存储（SBU）收入13.9 亿美元，同比+54%/环比-20%，环比下降系数据中心客户减少存储投资及NAND 价格影响；③手机（MBU）收入10.7 亿美元，同比-33%/环比-30%，系手机客户仍持续去库存所致；④嵌入式（EBU）收入10.3 亿美元，同比-8%/环比-3%。

    　　3、上修2025 年HBM 市场规模指引，消费类终端持续复苏和存储扩容。

    　　1）数据中心：公司继续上修2025 年HBM 市场规模至350 亿美元，指引2026年需求仍然强劲。公司预计其2025 财年HBM 收入达数十亿美元，2026 年实现HBM4 大规模量产；2）PC：预计2025 年出货量增长中个位数百分比，出货集中于下半年，系Windows10 终止及AI PC 带来换机需求，平均DRAM 容量将从12GB 增至16GB 及以上；3）手机：预计2025 年出货量增长低个位数百分比，手机客户库存调整符合预期，平均DRAM 容量将从8GB 增至12GB 及以上；4）汽车：库存调整进入尾声阶段，随着AI 车载及智驾系统发展，内存和存储容量持续增加。

    　　4、指引FY25Q3 DRAM 及NAND 量价齐升，2025 年资本支出聚焦HBM 扩产。

    　　1）FY25Q3 指引：按NON-GAAP 口径，指引收入88±2 亿美元，中值同比+29.2%/环比+9.3%；毛利率36.5%±1pcts，中值同比+8.4pcts/环比-1.4pcts，环比下降系消费产品出货量增加及NAND 产能未充分利用所致；摊薄EPS 1.57±0.1 美金；2）出货量和价格：FY25Q3 DRAM 及NAND 位元出货将环比增长，消费类产品出货预计增加；DRAM 价格预计环比上升，主要系前沿产品供应紧张，AI 终端产品需求强劲；NAND 价格也预计环比上升，主要系供给侧减产同时消费类需求复苏，供需格局改善；3）需求：公司将CY2025 DRAM 位元需求增长率从中十位数百分比上调至中至高十位数百分比，NAND 位元需求增长率仍为低十位数百分比，中期DRAM 和NAND 位元需求增长CAGR 均达中十位数百分比；4）供给：预计CY2025 年HBM 产能大幅提升，未来传统DRAM产能持续受限，指引FY2025 年末减少10% NAND 产能；公司预计FY25Q3Capex 超30 亿美元，FY2025 为140 亿美元，绝大部分用于HBM 及厂建、后端制造及研发。

    　　风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM 和NAND 景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。