半导体存储行业跟踪：24FQ3美光业绩环比增长 数据中心成长显著

　　美光发布公司24FQ3财季业绩，24FQ3（截止24年5月）实现营业收入68.11亿美元，同比+81.53%，环比+16.95%；实现净利润3.32亿美元，同比+117.51%，环比-58.13%；单季度销售毛利率26.90%，环比+8.37pcts。美光24FQ3单季度实现DRAM业务营收47亿美元，占比69%，环比增长13%，位元出货量环比减少中个位数百分点，ASP环比提升20%左右；实现NAND业务营收21亿美元，占比30%，环比增长32%，位元出货量环比增长高个位数百分点，ASP环比增长20%左右。

    　　划分各业务部门来看，24FQ3美光计算与网络部门（CNBU）实现营收25.73亿美元，同比+85%，环比+18%；手机部门（MBU）实现营收15.88亿美元，同比+94%，环比-1%；嵌入式部门（EBU）实现营收12.94亿美元，同比+42%，环比+16%；存储部门（SBU）实现营收13.5亿美元，同比+116%，环比+50%。

    　　24FQ4业绩指引方面，以NON-GAAP口径，美光预计24FQ4营收区间在76±2亿美元，中值环比+11.58%；毛利率在34.5%±1%，中值环比+7.6pcts。此外，公司预计CY24 DRAM及NAND存储位元需求都将以mid-teens百分点成长，中期DRAM及NAND分别以mid-teens及high-teens增速成长，CY24年供给将低于需求。

    　　HBM：根据TrendForce集邦微信公众号，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。

    　　供给端：根据TrendForce集邦微信公众号，受到HBM产能排挤，若先进制程产能扩张不足，DRAM产品恐面临供不应求。若投资没有明显扩大，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤的效应之下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。

    　　投资建议：我们看好24年全球先进制程产能不足情况下全年主流存储维持涨价，建议长期关注主流存储模组企业中具备存储+先进封装逻辑的企业，以及利基存储IC设计企业中符合一定涨价逻辑或具备较大国产渗透空间且与晶圆厂绑定更为紧密的存储IC企业。

    　　风险提示：存储芯片涨价不及预期；终端需求回暖不及预期；半导体国产替代进程不及预期。

    　　个股风险提示：美光公司产品终端涨价不及预期；技术研发进展不及预期。