通信行业：硅光加速渗透拐点已至

　　核心观点：

    　　硅光能够解决AI/ML 时代下持续提升的算力需求与摩尔定律失效的核心矛盾。光信号传输过程中衰减少、传输带宽高，硅基光电子拥有大带宽、高速率、低能耗、强干扰能力等优势，在摩尔定律逐渐失效、传统电芯片传输速率提升遇到瓶颈时，能够适应AI/ML 时代下持续演进的更高速、更复杂的光通信系统。硅光技术成为后摩尔定律时代“MoreThan Moore”的重要途径，是明确的技术发展趋势。

    　　我们为何判断当下正值硅光模块需求加速渗透的时点？

    　　（1）技术奇点已至。近些年以Tower、Global Foundry 为主的Fab 厂PDK 日渐成熟，硅光芯片厂商的设计与Fab 厂封装的磨合、硅光模块厂商与下游客户的磨合从量变引起质变，硅光芯片及硅光模块的良率及性能大幅提升；（2）补齐EML 缺口。800G 光模块需求在25 及26 年继续显著增长，而上游以美、日为主的光芯片厂商扩产存在一定周期，100G EML 供给偏紧。硅光产能瓶颈小，可缓解行业EML 紧缺；（3）现阶段平衡AI/ML 网络多维度需求的相对优解。硅光模块是现阶段AI/ML 网络演进过程中多维度诉求（高带宽、低延时、低功耗、稳定性、可维护性、可扩展、灵活性等）Trade-off 后的相对优解。

    　　更远期看，光可突破高性能计算瓶颈，由光子集成走向光电集成的星辰大海。光互联技术将在“设备-设备”（可插拔光模块、CPO 共封装）、“板-板”（PCIe 光互连）、“芯片-芯片”（Optical I/O）等多个场景加速渗透。

    　　（1）硅光模块：由传统分立式光模块向可插拔硅光模块演进，降低成本及功耗。我们预计硅光模块将在800G 及1.6T 时代加速渗透，尤其在1.6T 光模块中硅光模块的渗透率将显著提升；（2）CPO 共封装技术：将EIC 和PIC 通过共封装形式缩短交换芯片和光引擎间的距离降低时延及功耗，是光互联的重要趋势。我们认为在Scale-out 场景（设备与设备之间）下，CPO 是长期趋势，但是大规模商用尚需时日，我们预计CPO 技术将在26-27 年逐步渗透起量，在3.2T 时代被批量应用；（3）Optical I/O：将计算芯片和光引擎靠近，或者直接共封装在一个封装体内，有效提升带宽、降低能耗和延迟，解决“计算的最后一米”难题，未来应用空间广阔。

    　　投资建议：建议重点关注具备硅光芯片设计能力、硅光模块量产能力的厂商。同时，在CPO、OIO 的产业链分工中，持续建议关注：（1）对光电封装理解深刻且具有相关技术储备的传统光模块厂商；（2）MPO/MTP/MMC、FAU 等无源连接环节技术储备丰富、客户资源优质的公司；（3）具备CW 大功率激光器芯片量产能力的厂商；（4）光学测试及耦合设备厂商。

    　　风险提示：AI 大模型发展进程不及预期导致AI 数据中心基础设施建设需求降低；中美贸易摩擦加剧；硅光技术发展进程不及预期。