电子行业存储芯片周度跟踪：LAM RESEARCH推出低温蚀刻新技术 美光第九代NAND闪存技术宣布量产

　　核心观点

    　　NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，美光第九代NAND 闪存技术宣布量产。根据DRAMexchange，上周（0729-0802）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.53%至0.29%，平均涨跌幅为-0.22%。其中12 个料号价格持平，1 个料号价格上涨，9 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，美光宣布其276 层TLC G9 NAND已量产，可提供比目前可用的竞争性NAND 解决方案高出 99% 的单芯片写入带宽和高出88%的单芯片读取带宽。

    　　DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子转换平泽四厂为"DRAM 专用"。根据DRAMexchange，上周（0729-0802）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.68%至1.24%，平均涨跌幅为-0.22%。上周6 个料号呈上涨趋势，12 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，为补充因HBM 供应而导致的通用DRAM 供应不足，三星电子决定将平泽四厂（P4）转换为DRAM 专用生产线。原本计划将P4 工厂的一楼分为NAND 和代工生产线，但现在计划将其改为专用的DRAM 生产线。预计从2025 年上半年开始，向P4引进专用的DRAM 设备。

    　　HBM： 三星电子将HBM 组装检测工艺外包给子公司STeco，Techwing 下半年将推出HBM 综合检测设备。根据CFM 闪存市场报道，三星电子正在调整其高带宽存储器（HBM）的生产策略，计划将HBM 的组装检测工艺外包给其子公司STeco。韩国半导体测试设备宣布，已完成HBM 检测设备“Cube Prober”的开发，正在进行质量改进。三星电子第五代8 层HBM3E 产品目前正接受客户评估，计划第三季度实现量产。我们认为，受益于AI 不断发展，算力卡需求攀升，HBM 产业链有望持续受益。

    　　市场端：渠道和行业SSD 价格保持稳定。上周（0729-0802）eMMC价格持平，UFS 价格持平。根据CFM 闪存市场报道，本周渠道SSD/内存条价格基本维持稳定。行业市场方面，本周行业SSD 和内存条价格基本稳定。本周嵌入式价格维持不变。部分渠道终端客户因监管风向趋紧供应链出现断裂，为寻找新的货源，将目光转向嵌入式市场，带动嵌入式市场询单量攀升。

    　　投资建议

    　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

    　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

    　　风险提示

    　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。