存储行业深度报告:把握行业周期反转机会 存储产业链国产替代空间大

类别:行业 机构:山西证券股份有限公司 研究员:高宇洋 日期:2024-04-17

投资要点:

    供给端:库存趋于正常化,三大存储原厂资本支出聚焦于HBM、DDR5等高端存储,行业整体产量增长有限。随着三大存储原厂持续降低资本开支、减产调节库存,以控制市场过剩的供应总量,海外存储芯片库存水位正趋于正常化。根据Bloomberg 数据,海力士存货较前期的高位水平有所回落,三星、美光库存增速放缓,美光也在此前FY24Q1 财报中披露,PC、手机、汽车、工业等终端市场中的存储库存已经处在或者接近正常水位,数据中心的存储库存表现正在改善,预计到2024 年上半年接近正常水位。2024 年三大存储原厂在HBM、DDR5 等高端存储产品的扩产趋势明确,且HBM 和现有DDR 产品相比,HBM 尺寸更大、需要底部缓冲芯片,进一步限制了非HBM存储产品的产量。

    需求端:下游市场复苏叠加AI 浪潮驱动,提振存储需求,单机搭载容量提升或成为需求增长的主要驱动力。存储下游主要应用市场是智能手机、PC 和服务器,新品发布叠加AI 新生态推动智能手机迎来换机潮,Canalys预计2024 年全球智能手机出货量同比增长4%;PC 去库存见效,叠加AI PC刺激,PC 市场逐步复苏,Canalys 预计2024 年全球PC 出货量同比增长8%;AI 服务器出货量的快速增长正在抵消通用服务器迭代的延迟,根据TrendForce 数据,2024 年全球服务器出货量预计同比增长2.05%。但DRAM 和NAND 单机搭载容量提升或成为存储市场需求增长的主要驱动力,根据美光测算,一台AI 服务器DRAM 使用量是普通服务器8 倍,NAND 使用量是普通服务器3 倍,而随着智能手机渗透率提升、AI 端侧应用落地,2024 年DRAM 和NAND 的单机容量预期也有双位数以上增长。

    价格上涨趋势明确,存储进入新一轮上行周期,把握行业周期反转机会。

    上游存储晶圆价格自2023Q3 开始触底反弹,2023 年9 月现货均价低点至2024 年3 月已上涨30%,上涨趋势明显,上游晶圆价格被拉高后,由于下游模组厂手中库存低于正常季节水准,引发终端抢货,存储模组价格也随之走扬,存储进入新一轮上行周期。考虑到三大存储原厂营业利润率距离历史高点还有很大上升空间,我们认为原厂仍有涨价意愿,以及存储价格在每轮上行周期至少持续6-8 个季度上涨,本轮上行周期存储价格仅上涨了2 个季度,所以存储涨价趋势或将持续更久。未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善,存储厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击,行业存在较大的反弹空间。

    HBM 和DDR5 高端存储需求提升,长期看好存储产业链国产化。处理 器升级推动DDR5 渗透率快速提升,预计2023 年DDR5 渗透率有望达到25%-30%,2024 年年中渗透率可能超过50%。受益于人工智能需求爆发,根据Trend Force 数据,预计2024 年HBM 全球市场规模将达到169 亿美元。

    从工艺角度看,主流厂商已进入到对应10nm/12nm 制程节点的贝塔工艺,长鑫已经开始批量生产18.5nm 工艺的DRAM 芯片,月产量高达10 万片晶圆,同时预计将有更多HBM 和DDR5 相关规划,长存2022 年初率先实现232层3D NAND 量产,首次领先海外厂商。内存芯片和模组国产化是关键,长鑫和长存的快速发展势必将加速存储产业链的国产化。

    重点公司关注:存储仍具有较好成长性,看好行业周期反转的确定机会,及产业链国产化趋势下的投资机遇。建议关注:1)存储模组:佰维存储、德明利、江波龙;2)存储芯片设计:兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份;3)模组侧配套芯片:澜起科技、聚辰股份;4)HBM 产业链:长电科技、通富微电、甬矽电子;赛腾股份、精智达;华海诚科、联瑞新材(化工组覆盖);香农芯创。

    风险提示:下游需求复苏不及预期风险、技术研发进程不及预期风险、国产替代不及预期风险、地缘政治风险。