通信设备行业深度报告：光电材料系列之砷化镓+磷化铟：光电国产化推动第二代半导体景气上行(下)

　　1，磷化铟衬底技术壁垒深厚，大尺寸/低位错为发展方向。衬底技术方面，改进后的HB/HGF法是工业合成InP多晶的主要方法；LEC/改进LEC/HB/HGF/VGF/VB为主要的单晶生长方法；为了降低成本，磷化铟单晶向大尺寸、低位错、工业化大规模生产发展。市场方面，磷化铟单晶生长设备和技术壁垒较高，全球衬底市场集中度高；下游市场需求不断增加，衬底市场规模持续扩大，根据北京通美招股书援引Yole数据，预计2026年全球磷化铟衬底市场规模为2.02亿美元，2019-2026年CAGR为12.42%。

    　　2，磷化铟外延片主要来源于IDM厂商和专业外延厂，后者市场集中度较高。磷化铟外延主要采用MOCVD和MBE技术，可实现厚度、组分、掺杂和界面的精确控制；目前MOCVD设备被国外巨头垄断，但国内厂商逐渐突破市场壁垒。全球磷化铟外延供应商包括大型IDM制造商和专业外延厂，后者市场集中度高。根据恒州博智QYR百家号，2021年全球磷化铟外延片市场销售额为1.04亿美元，预计2028年将达1.62亿美元，CAGR为6.30%。

    　　3，磷化铟下游光电子领域市场规模将快速增长，通信是主要应用场景、传感应用或将迎来快速增长。磷化铟具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，在光电子和射频领域拥有关键优势，我们认为未来磷化铟产业发展的驱动力主要集中在光电子领域。根据Yole，2021-2027年磷化铟光电子器件市场规模将由25亿美元增长至56亿美元，CAGR为14%。具体来看，2021-2027年应用于数据通信和电信通信的InP器件市场规模分别将从12.4、12.9亿美元增长至34、18亿美元，CAGR分别为18%、6%；预计2027年应用于可穿戴传感、消费类3D传感和汽车激光雷达的InP器件市场规模分别为1.59、1.51和0.14亿美元，对应CAGR分别达30%、37%和189%。

    　　4，国内砷化镓和磷化铟产业链布局趋于完善，相关本土公司逐步崛起。产业链来看，主要本土公司包括：1）衬底方面，主要公司包括云南锗业和有研新材等；2）外延方面，主要公司包括全磊光电和唐晶量子等；3）芯片方面，主要公司为长光华芯、源杰科技、光迅科技、唯捷创芯、长瑞光电、纵慧芯光等；4）代工方面，主要公司为三安光电等。

    　　风险提示：技术迭代风险，市场竞争超预期，宏观经济波动。