中微公司(688012)深度报告:国之重器 风禾尽起

类别:公司 机构:信达证券股份有限公司 研究员:方竞 日期:2021-07-23

中微公司:半导体设备国产替代先锋。公司成立于2004年,创始团队均为出身应用材料、泛林半导体等国际半导体设备龙头企业的核心技术人员,董事长尹志尧博士曾任应用材料副总裁、刻蚀事业部总经理、亚洲首席技术官,是国际等离子体刻蚀技术发展的重要推动者。公司于2007 年成功研制首台CCP刻蚀机,2012年成功研制首台MOCVD设备,2016年成功研制ICP设备,产品线不断拓宽,如今已成为国际领先的CPP和MOCVD供应商。

    近年来公司业绩稳健增长,半导体业务占比亦持续提高。2017-2020 年,公司营收从9.72亿元增长至22.73亿元,三年CAGR达32.73%。其中,刻蚀设备收入从2.89 亿元增长至12.89 亿元,三年CAGR 达64.61%,2020 年收入占公司设备业务比例达71.65%。

    公司2020年定增落地,国家大基金二期参与认购。公司定增募集82亿元,加码研发128 层以上CCP 刻蚀、大马士革刻蚀、7nm 以下ICP、3nm 以下ALE等项目,大基金参与认购25亿元。

    刻蚀:前道工艺核心,国产替代率先突破。刻蚀是前道工艺的核心环节,主流的干法刻蚀工艺包括电容性等离子刻蚀(CCP)和电感性等离子刻蚀(ICP)两种技术路线,是前道工艺中价值量最高的环节。据SEMI数据,2025 年刻蚀设备全球市场规模将达到150 亿美元。当前市场呈现了巨头垄断的竞争格局,泛林半导体、东京电子、应用材料合计占据了91%的市场份额。2020 年以来全球半导体景气度上行,国内晶圆厂在国产替代和缺货涨价双重动力下加速建设,为国产设备厂商带来突破机遇,而刻蚀设备国产化率仍不足20%,替代空间可观。

    中微作为国内刻蚀设备龙头,截止2020年,CCP设备装机量达1159台,保持了30%的年均增速,而ICP 设备亦已有55 个反应腔运行于10 位客户的产线。技术自主可控和先进制程能力是公司得以实现国产替代的核心优势,CCP 设备已切入台积电5nm 产线,技术达到世界领先水平。逻辑芯片的大马士革刻蚀、128层以上3D NAND刻蚀、用于GAA结构的ALE刻蚀等产品也已处于研发中。

    MOCVD:GaN外延设备龙头,化合物半导体空间打开:MOCVD指金属有机化学气相沉积,常用于包括GaN、SiC、GaAs、InP在内的化合物半导体外延片制造,面向LED、射频、功率、VCSELS等下游应用。得益于miniLED 渗透带来芯片用量增长,上游MOCVD 设备迎来需求爆发。中微蓝光LED设备快速成熟,与三安、晶电、兆驰等LED巨头保持良好合作,截止2018年Q4已在全球GaN基MOCVD市场占据70%以上市场份额。用于mini/microLED、功率半导体的设备亦在研发中。

    盈利预测与投资评级:我们预计公司2021/22/23 年,营收分别为31.17/42.39/55.67亿元,归母净利润分别为5.21/6.69/8.81亿元,对应当前股价PE 分别为195/152/115 倍。公司作为半导体设备行业的龙头公司,随着设备技术的不断突破,具备较强的国产替代确定性,市占率有望持续提升。首次覆盖,给予“买入”评级。

    风险因素:行业周期性波动风险;下游客户扩产不及预期风险;国际贸易摩擦风险。