电子行业研究周报：国家存储器基地项目二期开工 国内3DNDND进入加速发展期

　　投资摘要：

    　　市场回顾：

    　　本周（2020.06.15-2020.06.19）上证指数上涨1.64%，深证成指上涨3.7%，创业板指上涨5.11%，申万电子指数上涨4.43%，位列申万28 个一级行业周涨跌幅第4 位。目前，电子板块TTM 市盈率为50.8 倍，位列申万28 个一级行业的第5 位。

    股价涨幅前五名：杉杉股份、大唐电信、欣旺达、木林森、*ST 雪莱； 股价跌幅前五名：雅克科技、沪硅产业-U、贤丰控股、芯瑞达、派瑞股份。

    　　每周一谈：国家存储器基地项目二期开工 国内3D NDND 进入加速发展期6 月20 日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND 闪存芯片工厂。项目一期于2016 年底开工建设，进展顺利。根据长江存储的规划，一期目标产能10 万片/月，二期项目产能将达到30 万片/月，最终三期项目预计在2030 年完成，产能将提升到100 万片/月。

    　　长江存储近年来在闪存领域取得了惊人的成绩，2018 年32 层3D NAND 成功进入市场，实现国内3D NAND 零的突破；2019 年9 月64 层3D NAND 研发成功；2020 年4 月，长江存储跳过96 层，直接128 层3D NAND 研发成功，正式达到全球闪存主流水平。

    　　Xtacking 技术是长江存储子公司武汉新芯自主研发、国际先进的晶圆级三维集成技术平台，能在晶圆级上实现多片晶圆(Wafer)堆叠，同时利用纳米级互连技术将多片晶圆在垂直方向直接连接在一起。Xtacking 技术具有以下几个特点：

    使3D NAND 能拥有更快的I/O 接口速度：采用Xtacking 可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O 及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND 获取更高的I/O 接口速度及更多的操作功能。

    创新架构使3D NAND 能拥有更高的存储密度：Xtacking 技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND 更高的存储密度。

    模组化的工艺将提升研发效率并缩短生产周期：Xtacking 技术实现了并行的、模块化的产品设计及制造，从而大幅缩短3D NAND 产品的上市时间。

    　　2018 年全球NAND Flash 销售额达644 亿美元，创历史新高。2019 年受全球存储市场下滑影响，全球NAND Flash 销售额下降28.6%至460 亿美元。

    　　全球NAND 闪存市场中，三星、铠侠、西部数据、镁光、SK 海力士以及英特尔6 家公司占了全球主要份额。根据中国闪存市场的数据，2019 年全球NANDFlash 市场中，三星以33.7%的市占率排名第一，铠侠以19.2%的市占率排名第二，西部数据排名第三，市占率为14.3%。

    　　投资策略及组合：长江存储二期正式开工，标志着国内3D NAND 开启加速量产进程。我们建议关注长江存储产业链相关公司的投资机会，推荐组合：赛腾股份、华峰测控、韦尔股份、闻泰科技、兆易创新各20%。

    　　风险提示：下游需求低于预期；行业发展低于预期；疫情影响大于预期。