兆易创新(603986)公司点评：存储芯片受益TWS+5G产品等新应用

一、事件概述

    事件：1 月20 日，公司发布19 年度业绩预告：预计归母净利润约为6 亿元至6.5 亿元，同比增长48%至60%；扣非后归母净利润约为5.28 亿元至5.78 亿元，同比增长46%至60%，非经常性损益影响金额约0.28 亿元。

    二、分析与判断

    业绩基本符合预期，受益芯片国产替代

    业绩整体基本符合我们之前的判断。据业绩预告，Q4 归母净利润为1.5 亿元至2 亿元，以Q4 业绩区间中值1.75 亿元测算，同比+365%，环比-33%。业绩增长主要原因：半导体国产替代加速，持续导入新客户、新订单；产品结构优化，盈利能力提升；存储器景气度回暖，供不应求。

    NOR FLash 景气度上升，受益OLED、TWS 以及5G 产品等渗透率提升NOR Flash 需求增长驱动行业供不应求，特别是TWS 耳机、AMOLED 屏幕等渗透率提升以及消费电子、物联网兴起。公司NOR Flash 切入国际大客户TWS供应体系，单机价值量大且受益TWS 渗透率提升，并且拓展了车载电子、安防、物联网等领域多个客户。NOR Flash 目前产能仍较为紧张，随着5G 换机、TWS 以及5G 产品等渗透率提升，NOR Flash 高景气度仍有望维持，公司将持续受益。Nand Flash 在38nm SLC 产品上已实现量产，中小容量Nand Flash 和eMMC 产品持续推出。

    DRAM 进展顺利，受益存储芯片行业拐点

    公司拟定增不超过43.24 亿元，投向DRAM 芯片研发及产业化项目，重点研发1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM 技术，计划开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。合肥长鑫第一代8Gb DDR4DRAM 于19Q3 提前投产，产品通过国内外大客户验证。DRAM 价格在19Q3触底回升，景气度有望持续提升。公司已实现存储芯片全产品线布局，定增将研发先进制程DRAM，将有望受益存储芯片行业拐点。

    MCU 产品结构持续优化，受益国产替代加速

    公司持续推出系列基于ARM 架构的高性价比MCU 产品，受益车载电子、物联网以及工控等领域需求增长，MCU 产品在19Q3 同比环比增长明显。思立微在品牌手机客户实现量产出货，已推出屏下指纹方案，有望受益屏下指纹渗透率提升。此外，公司在19 年8 月发布了RSIC-V 产品，未来有望打造新增长点。

    三、投资建议

    公司是全球领先的存储器芯片及MCU 供应商，受益半导体自主可控趋势，同时是国家存储芯片战略平台之一。由于NOR Flash 供不应求、公司切入国际大客户、芯片国产替代加速，考虑收购上海思立微的影响，预计19/20/21 年EPS 分别为2.02/2.94/3.79 元，对应PE 分别为136X/94X/73X。参考SW 半导体行业PE 估值为246 倍，维持“推荐”评级。

    四、风险提示：

    1、晶圆等原材料价格波动；2、存储芯片降价；3、DRAM 产能爬坡不及预期。