深度*公司*北方华创(002371):ICP刻蚀设备助力上海ICRD 14NM FINFET SADP工艺研发取得重大突破

类别:公司 机构:中银国际证券股份有限公司 研究员:杨绍辉/陈祥 日期:2019-12-05

  北方华创官微发布消息:上海集成电路研发中心 (ICRD)和北方华创11 月21 日联合宣布,ICRD 采用北方华创NMC612D 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀机等国产设备完成了14nm 鳍式晶体管自对准双重图形(14nm FinFETSADP)相关工艺的自主开发,各项工艺指标均已达到量产要求,在集成电路14nm 核心工艺技术上取得了重大进展。

      支撑评级的要点

    上海集成电路研发中心致力于先进制程研发及装备材料国产化验证。

      ICRD 有中国最先进的12 英寸开放式集成电路先进工艺研发和装备材料试验平台,并为国产光刻机、刻蚀机、铜互连、光刻胶、大硅片等装备和材料提供全方位验证和工艺配套,推动供应链的国产化。上海华虹集团是ICRD 股东之一,持股比例为28.98%,与上海创投并列为第一大股东。

    公司可实现14nm 先进制程ICP 刻蚀设备国产化。上海集成电路研发中心作为华虹集团参股公司,其先进制程的成功研发具备产业化前景。北方华创NMC 612D ICP 刻蚀机作为此次14nm 先进工艺的核心刻蚀工艺设备,在刻蚀形貌控制、均匀性控制、减少刻蚀损伤、刻蚀选择比提高等方面具有技术优势,既可满足14 纳米多种刻蚀工艺制程要求,并具备7/5 纳米工艺延伸能力。

    从市场规模看,ICP 刻蚀设备正在超越CCP 刻蚀。CCP 刻蚀设备是以高能离子在较硬的介质材料上,刻蚀髙深宽比的深孔、深沟等微观结构,以较高密度的等离子体来刻蚀有机掩模层,未来主要应用于存储器髙深宽比刻蚀、逻辑电路的金属掩模大马士革结构一体化刻蚀。ICP 刻蚀设备是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料,由于逻辑器件向先进制程发展和存储器件的结构变化,硅基和介质高精度刻蚀,将日益依赖于ICP 刻蚀设备的应用。因此,目前100 多亿美元刻蚀设备市场(SEMI 统计数据)的总体发展趋势是, ICP 刻蚀设备市场正在超过CCP 刻蚀设备市场。

    公司刻蚀设备订单日益充足。据中国国际招标网的数据统计,北方华创2019 年持续获得数台长江存储的硅基刻蚀订单,在华力二期、华虹无锡等主流晶圆产线上也有刻蚀订单。

      估值

    我们维持19/20/21 年公司净利润3.43/4.59/6.02 亿元预测,目前市值对应PE 估值为116/86/66 倍,但公司全面布局集成电路工艺设备且快速进入收获成长期,维持买入评级。

      评级面临的主要风险

    公司研发进展不及预期,下游客户扩产不及预期。