兆易创新(603986):NORFLASH+DRAM 国产存储龙头启航

类别:公司 机构:华西证券股份有限公司 研究员:孙远峰/王海维 日期:2019-10-09

  DRAM投产,国产“芯”突破的第一步9 月20 日,合肥长鑫宣布投产12 英寸DRAM 生产线,成为我国第一颗自主研发的19nm DRAM 芯片,公司表示投产的8Gb DDR4 通过了多个国内外大客户的验证,预计今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品LPDDR4X 也即将投产。我们认为长鑫存储DRAM宣布量产,是国产“芯”突破的第一步,不断提升良率和产能是大规模量产的关键,加快缩小与三星、海力士、美光等国际存储大厂的技术差距。

      受益多行业变化,NOR Flash 经历“V 型”反转伴随着功能手机市场的逐渐衰退,NOR Flash 行业整体规模大幅度下降,根据Gartner 2017 年相关数据指出,2006 年NOR Flash市场规模超过70 亿美元,至2016 年下滑至20 亿美元规模以下,但是受益于智能手机“TDDI+AMOLED+摄像头”升级与创新,TWS 耳机的快速增长,同时声学、物联网、汽车电子等多行业持续发酵,NOR Flash 由于读取速度较快等特征重回增长态势。

      投资建议

      我们预测公司2019~2021 年的收入分别为30.85 亿元、44.36 亿元、57.03 亿元,同比增速分别为37.37%、43.79%、28.56%;归母净利润分别为4.56 亿元、6.88 亿元、8.24 亿元,同比增速分别为12.48%、50.92%、19.81%;对应EPS 分别为1.42 元、2.14元、2.57 元,对应PE 分别为104.34 倍、69.13 倍、57.7 倍。估值方面,公司历史PE 处于40~150 倍之间,鉴于公司作为国内存储龙头企业,带领中国存储“芯”跨出重要一步,给予公司2020 年80 倍PE,目标价为171.2 元,首次覆盖,给予“买入”评级。

      风险提示

      DRAM 产品突破低于预期,存储行业依然疲弱,价格压力较大;NOR Flash 产能扩充低于预期,行业竞争加剧带来毛利率下滑,客户拓展低于预期;思立微新产品突破低于预期