华虹半导体

营收分析 华虹半导体二零一九年度的营业收入为 9.326亿美元,再创公司历史营收新高。与二零一八年相比,二零一九年本公司营收同比增长0.2%。二零一九年度是本公司毛利率连续第五年保持在 30%以上。据美国着名市场研究机构IC Insights公司预测,在全球纯晶圆代工行业前八大企业中,本公司是两家保持年度销售额正增长的公司之一。本公司二零一九年度不凡的业绩来源于技术的创新、技术组合的持续优化、公司产能的扩充,以及半导体市场对本公司差异化技术需求的持续增长,主要包括MCU、超级结、通用 MOSFET和 IGBT等产品。 技术研发 华虹半导体坚持致力于差异化技术的研发、创新和优化,主要聚焦于嵌入式非易失性存储器(Embedded non-volatile memory)、分立器件(Discrete)、模拟和电源管理(Analog and power management)、逻辑(Logic)和射频(Radio Frequency, RF)等差异化技术,持续为客户提供满足市场需求、成本效益高的工艺技术和服务。二零一九年,华虹半导体「 8+12」战略进入了实质的发展与实施阶段。 嵌入式非易失性存储器相关的技术平台依然是华虹半导体二零一九年主要营收来源之一,主要包括智能卡芯片和微控制器两大类。在智能卡方面, 90纳米eFlash二零一九年出货量同比增长78%,强势上涨,进入收获期。具有自主知识产权的90nm嵌入式闪存技术顺利完成第三代技术开发,闪存单元面积缩小40%,使得客户在智能卡市场上继续保持优势,也为第三代技术转移到 12吋工厂做好准备;以95nm SONOS EEPROM技术为基础的银行卡产品在国产代替的市场上取得极大的成功,年出货量近2亿颗。除了进一步精进8 吋平台开发外,华虹无锡厂12吋90nm嵌入式闪存工艺平台于二零一九年第四季度完成技术转移,首款智能卡芯片产品于二零一九年底前交付给客户,良率超过该工艺8吋水平。 65纳米eFlash平台工艺与器件开发顺利推进,产品所需相关配套IP正在验证阶段。 在微控制器方面,二零一九年嵌入式闪存MCU销售额持续两位数增长,二零一四年至二零一九年销售额年复合增长与出货量年复合增长率均保持两位数增长。在智能化趋势与物联网应用的推动下,行业领先的 0.11 微米低功耗及超低漏电嵌入式闪存工艺平台受到全球客户的广泛认可,新产品导入数量持续强劲增长,应用在通用型 MCU、 Type-C接口控制芯片、摄像头防抖控制芯片、触控芯片、智能电表控制芯片等领域。同时,为了满足大容量、超低漏电MCU的需求, 8吋90nm超低漏电嵌入式闪存工艺已于二零一九年第四季度验证完毕,更加丰富且细化了公司在嵌入式闪存工艺平台佈局,提升竞争力的同时并提供客户更好的差异化服务。华虹半导体分立器件平台主要包括通用型 M O S F E T、超级结 M O S F E T ( D TSJNFET)和 IGBT等主流技术,在二零一九年继续引领营收表现,销售额同比增长14.2%,已经连续5年保持两位数增长率。其中,超级结MOSFET和 IGBT在 2015年到二零一九年的销售额以及出货量的年复合增长率均超过 50%。在二零一九年,公司持续引入了国内外领先、着重于工业与汽车电子的的数家IGBT企业。得益于在超级结(Super Junction, SJ)工艺方法创新,本公司独特的深沟槽加外延填充的优势更加显现出来。二零一九年,公司第 4代超级结工艺研发顺利,工程样品试制成功,关键性能指标进一步优化 30%,因此可以进一步降低客户产品的成本和开关损耗。同时,与数家IGBT客户在1700V沟槽式场截止(Trench Field-Stop)IGBT上展开了合作,也成功实现了规模量产,用于大功率工业应用。 二零一九年,华虹半导体功率分立器件技术在汽车电子市场屡有斩获,低电压MOSFET在汽车车身稳定系统(Electronic Stability Program, ESP)、 SJ和 IGBT在电动汽车的充电桩和逆变器的需求均持续成长,车用功率器件销售额增长率同比超过100%,公司已经成为全球汽车电子功率器件客户的可靠合作伙伴。 华虹半导体模拟和电源管理技术平台,电压范围从5伏特至700伏特,工艺节点覆盖0.5微米至90纳米。紧贴电源管理技术高集成度和智能化的趋势,在0.35微米以及0.18微米BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)量产技术的基础上,华也推进了 0.11 微米和 90纳米BCD技术,并投入了较大的研发资源。二零一九年,在已经量产的 0.18微米第二代BCD技术基础上持续优化升级第三代工艺,达到世界领先水平,已面向国内外客户。兼容嵌入式闪存的 0.11 微米BCD平台定位以汽车供电系统、无线充电等芯片为主, 90纳米BCD平台定位以数字电源、数字电机驱动等芯片为主,两个技术平台均已完成工艺开发,并开始导入产品。 在上述主要平台技术之外,华虹半导体仍不断拓展新的差异化技术领域。随着智能手机多频多模的趋势推升了射频前端模块的需求,公司已开发出对应相关芯片的 RF-SOI技术并持续优化,目前为国内领先地位。二零一九年随着市场总量的增加以及国内市场的需求,已开展与数家国内客户的紧密合作,有望成为二零二零年开始在射频技术领跑增长的新生力量。 在创新和优化现有 8吋技术的同时,作为华虹半导体走出上海,融入和服务长三角一体化战略的重要一步,与江苏省无锡市合作成立华虹半导体(无锡)有限公司,于二零一九年正式落成并迈入生产运营期。总投资100亿美元,一期投资25亿美元,是聚焦特色工艺、覆盖90~65纳米工艺节点、规划月产能约 4万片的 12吋集成电路生产线。随着第二季度末厂房建成及设备搬入, 65nm逻辑工艺在极短的时间内成功完成前后段全线贯通并投产,在第四季度创造了具有里程碑意义的销售额贡献。同时,也完成了 90纳米嵌入式闪存的技术转移,并于二零一九年底出货,全面支持华虹半导体全新的「 8+12」战略定位。 在专利积累方面,作为特色工艺领军企业,二零一九年共申请专利 370项,累计获得中美发明授权专利超过3,400件。

展望二零二零年,世界银行在《全球经济展望》中给出了世界经济温和增长的积极信号。全球半导体产业发展趋势继续保持与宏观经济接轨。根据市场研究机构预测二零二零年全球半导体市场将会迎来7%的年度增长,全球Foundry产业也将走出二零一九年的寒冬,逐步回暖。由于近期新冠疫情的不确定影响,市场预测仍存在着诸多未知性。但非常肯定的是,随着中国本土IC设计公司的逐步成熟,国家政策的持续支持,创新创业型企业快速增加,国内晶圆代工业必将长期处于有利的成长环境,并保持增长态势。差异化特色工艺将依然是华虹宏力二零二零年的关键词。 8吋工艺平台方面,我们将进一步优化现有95纳米和 90纳米等嵌入式非易失性存储器技术,提供更小的存储器单元、 IP模块与更精简的工艺,全方位应对来自 MCU市场的多重需求;持续开发第四代超级结技术,并针对高质量、车用 IGBT导入氢注入工艺、研发逆导型 IGBT(RC-IGBT)、 SJ-IGBT等新一代功率分立器件技术。除了追求高压功率器件所需的更高功率密度和更低损耗,更精益求精地开发片上集成传感器的智能化IGBT工艺技术与更高可靠性的新型散热IGBT技术;加大力度提高 0.18微米BCD第三代工艺参数性能达到业界先进水平并满足汽车电子要求,整合0.11 微米嵌入式闪存与BCD技术,达到车规级应用要求,全面迎接混动车、电动车市场对半导体器件的成长性需求;推动 RF-SOI第四代工艺向更高可靠性与持续量产方向发展,为 5G等新兴市场提供新生的中国力量。 华虹半导体(无锡)有限公司是华虹半导体 8+12战略的重要组成部分,随着华虹无锡 12吋产线的建成投产,代表着华虹半导体已经拥有了中国大陆最先进的 12吋特色工艺生产线,同时也是大陆第一条12吋功率器件生产线。 12吋IC + Power定位将成为公司业绩成长双引擎,提供给客户更广泛的差异化技术与更充足的产能。充分发挥12吋平台更小线宽特性,持续开发与优化 65纳米逻辑射频工艺、 90纳米嵌入式闪存工艺、 90纳米电源管理BCD工艺、通用型 MOSFET、超级结、IGBT、 CIS、 65纳米嵌入式闪存工艺、 65纳米RF-SOI工艺等技术,将陆续于二零二零年进入试产与量产阶段。随着市场向好,公司也加快了 12吋产线的产能扩充进度,预期能更快更好的掌握相关技术的市场机会。 在巩固 8吋平台持续创新的基础上, 12吋平台产能及差异化特色工艺的加入,使华虹半导体「 8+12」战略进入了实质的发展与实施阶段。二零二零年我们将继续推动该战略快速有序发展,加速研发,持续为我们的客户提供更值得信赖的产品与服务,更加多元化的工艺选择。公司致力成为全球最具竞争力的特色工艺晶圆代工企业。